RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3713
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMX16GX3M4A1333C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link