RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2881
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link