RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2969
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link