RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2785
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link