RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
26
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2991
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link