RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2038
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link