RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3097
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link