RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2851
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link