RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3446
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link