RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3733
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link