RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3230
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link