RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2468
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link