RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2353
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link