RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
83
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
83
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1663
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link