RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2479
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link