RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2881
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link