RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2795
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link