RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2527
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link