RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2058
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link