RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2588
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link