RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2966
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G6K1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link