RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2769
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link