RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3332
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link