RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2495
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link