RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link