RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
26
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3481
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link