RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3779
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link