RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3402
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link