RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3508
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link