RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2945
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link