RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1979
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link