RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
25.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
20.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4537
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link