RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3792
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link