RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3672
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link