RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3694
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link