RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
26
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3905
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link