RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4207
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link