RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3040
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link