RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4167
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link