RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
67
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
67
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2042
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link