RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2725
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link