RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3413
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link