RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2631
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link