RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3149
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link