RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2872
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link