RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2298
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link