RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2631
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link