RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
47
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3099
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link