RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
7.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1868
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link