RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3632
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link